مۆت-شۆتکی (Mott-Shottky)

پێشەکی:

تەکنیکی مۆت-شۆتکی وەک ئامرازێکی بەهێز بۆ لێکۆڵینەوەی ڕووی ئەلیکترۆدەکان دادەنرێت. نەخشەکانی مۆت-شۆتکی (Mott-Schottky plots) زۆرجار بۆ لێکۆڵینەوەی ئەلیکترۆدە نیمەگەیاندوەکان (semiconductor electrodes) بەکاردەهێنرێن و هەروەها دەتوانرێت بۆ لێکۆڵینەوەی گەشەسەندنی فیلمی پەیوەست بە ڤۆڵتاژ (voltage-dependent film growth) لەسەر ئەلیکترۆدەکان بەکاربهێنرێت. بەکارهێنانی سەرەکی نەخشەکانی مۆت-شۆتکی دیاریکردنی تایبەتمەندییە ئەلیکترۆکیمیاییەکانی مادەی نیمەگەیاندووە (electrochemical properties of semiconducting materials).

لە نەخشەیەکی مۆت-شۆتکیدا، پێچەوانەی چوارگۆشەی گونجاندنی چینی بارکردنی بۆشایی (inverse square of the space charge layer capacitance - Csc⁻²) لە دژی پۆتانسیاڵی نیمەگەیاندوو (semiconductor potential - E) دەخرێتە سەر نەخشە. چڕی دۆپینگ (doping density) لە لارێی هێڵەکەوە بەدەستدەهێنرێت، لەکاتێکدا پۆتانسیاڵی باندی تەخت (flat band potential) بە درێژکردنەوەی هێڵی ئەنجامدار بۆ تەوەری پۆتانسیاڵ دەردەکەوێت.

تەکنیکی مۆت-شۆتکی ئامرازێکی بەهێزە لە لێکۆڵینەوەی تایبەتمەندییە ئەلیکترۆکیمیاییەکانی مادەی نیمەگەیاندوودا. لە ڕێگەی شیکردنەوەی ئەنجامەکانەوە، توێژەران دەتوانن تێگەیشتنی بەنرخیان لە ڕەفتاری مادەکان بەدەستبهێنن، کە یارمەتی گەشەپێدانی تەکنەلۆژیای نوێ و باشترکردنی کارایی ئامێرەکان (device performance) دەدات.

بنەمای کارکردن:

تەکنیکی مۆت-شۆتکی ڕێگەیەکی کاریگەرە بۆ لێکۆڵینەوەی تایبەتمەندییە ئەلیکترۆکیمیاییەکانی ئەلیکترۆدەکان، بەتایبەتی لە مادە نیمەگەیاندووەکاندا. ئەم تەکنیکە بۆ دیاریکردنی تایبەتمەندییەکانی وەک چڕی دۆپینگ و پۆتانسیاڵی باندی تەخت بەکاردەهێنرێت، یارمەتی توێژەران دەدات لە تێگەیشتنی ڕەفتاری مادە لە بەکارهێنانە ئەلیکترۆنی و ئەلیکترۆکیمیاییەکاندا (electronic and electrochemical applications).

تەکنیکی مۆت-شۆتکی پشت بە پێوانەی گونجاندنی چینی بارکردنی بۆشایی لە نیمەگەیاندوودا وەک فەنکشنێک لە ڤۆڵتاژ دەبەستێت. گونجاندنی بارکردن (charge capacitance) بە بەکارهێنانی سپێکترۆسکۆپیای ئیمپیدانسی ئەلیکترۆکیمیایی (Electrochemical Impedance Spectroscopy - EIS) پێودەکرێت، و پاشان پێچەوانەی چوارگۆشەی گونجاندن (inverse square capacitance - Csc⁻²) لە دژی پۆتانسیاڵی ئەلیکترۆد (electrode potential - E) دەخرێتە سەر نەخشە.

هاوکێشەی بنەڕەتی بۆ نەخشەکانی مۆت-شۆتکی:

گرنگی تەکنیکی مۆت-شۆتکی:

١. دیاریکردنی تایبەتمەندییە بنەڕەتییەکان (fundamental properties): تەکنیکی مۆت-شۆتکی بۆ دیاریکردنی چڕی دۆپینگ و تایبەتمەندییەکانی بار لە نیمەگەیاندووەکاندا بەکاردەهێنرێت، یارمەتی دیزاینی ئامێرە ئەلیکترۆنییەکان (electronic devices) دەدات.

٢. لێکۆڵینەوەی کارلێکی ڕووەکەیی (surface interactions): ئەم تەکنیکە دەتوانرێت بۆ تێگەیشتنی کارلێکی ڕووەکەیی لە بەکارهێنانە ئەلیکترۆکیمیاییەکاندا بەکاربهێنرێت، وەک بەتری (batteries) و خۆری کەهرەبایی (solar cells).

٣. شیکردنەوەی کارایی مادە (material performance): ئامرازێکی بەسوودە بۆ هەڵسەنگاندنی کارایی مادە نوێیەکان لە بەکارهێنانە تەکنەلۆژییە جۆراوجۆرەکاندا، لەوانە ئامێرە ئۆپتۆئەلیکترۆنی (optoelectronic devices) و سەرکتی ئەلیکترۆنی (electronic circuits).

لێکدانەوەی ئەنجامەکان:

• نەخشەی ئەنجامدار (resulting plot): کاتێک پێچەوانەی چوارگۆشەی گونجاندن (inverse square capacitance - Csc⁻²) لە دژی پۆتانسیاڵی ئەلیکترۆد (electrode potential - E) دەخرێتە سەر نەخشە، لارێیەکی ئەرێنی (positive slope) نیشاندەری نیمەگەیاندووی جۆری n-ە (n-type semiconductor)، لەکاتێکدا لارێیەکی نەرێنی (negative slope) نیشاندەری نیمەگەیاندووی جۆری p-ە (p-type semiconductor).

• چڕی دۆپینگ (doping density): چڕی دۆپینگ (n) دەتوانرێت لە لارێی هێڵی ئەنجامدارەوە حیسابی بۆ بکرێت. لارێیەکی تیژتر (steeper slope) چڕی دۆپینگی بەرزتر (higher doping density) نیشان دەدات، لەکاتێکدا لارێیەکی نەرمتر (gentler slope) چڕی کەمتر (lower doping) پێشنیار دەکات.

• پۆتانسیاڵی باندی تەخت (flat band potential): پۆتانسیاڵی باندی تەخت (U_FB) بە درێژکردنەوەی هێڵ بۆ تەوەری ڤۆڵتاژ (voltage axis) دیاری دەکرێت، بەهایەکی وردی ئەم تایبەتمەندیە گرنگە پێشکەش دەکات.